1. 2SC2812N6-TB-E
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厂商型号

2SC2812N6-TB-E 

产品描述

BIP NPN 0.15A 50V

内部编号

277-2SC2812N6-TB-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:5154
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美国加州
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2SC2812N6-TB-E产品详细规格

规格书 2SC2812N6-TB-E datasheet 规格书
2SA1179N/2SC2812N
2SC2812N6-TB-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 150mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 135 @ 1mA, 6V
功率 - 最大 200mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 3-CP
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.15
最低工作温度 -55
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 100(Typ)
包装宽度 1.5
PCB 3
最大功率耗散 200
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 55
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 SC-59
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
最小直流电流增益 200@1mA@6V
包装高度 1.1
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 150mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 5mA, 50mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 3-CP
功率 - 最大 200mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 135 @ 1mA, 6V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.1 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 200 mW
系列 2SC2812N
直流电流增益hFE最大值 400
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 55 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 300 mA
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 150 mA

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